شبیه سازی عوامل محیطی بر سیلیکون بوسیله lammps

با پیشرفت صنعت الکترونیک، دانشمندان به فکر کوچک کردن قطعات افتادن تا بتوانند تعداد زیادتری ترانزیستور و دیود و سایر المان های مدار را در یک تراشه با ابعاد ثابت قرار دهند. تلاش های آن ها در طی سالیان اخیر منجر به ساخت پردازنده های پیچیده تر و قدرتمندتری شده است. در این میان سوالی پیش می آید که این کوچک کردن قطعات تا چه اندازه ای می تواند پیش رود. برای بررسی این موضوع اتصال فلز به نیمرسانا را انتخاب می کنیم. این اتصال به دو صورت اتصال اهمی و اتصال فلز نیم رسانا است. آیا در این اتصال اتم های فلز درون نیم رسانا نفوذ می کنند. مقدار نفوذ این اتم ها در نیم رسانا به چه میزان است. برای بررسی این سوالات از شبیه سازی lammps استفاده می کنیم. مجموعه ای از شبیه سازی ها با دما های مختلف در حضور غلظت های مختلفی از اتم آرگون انجام می دهیم. و نتایج را بررسی می کنیم. برای نمونه طی شبیه سازی با دمای 300 درجه کلوین و بدون حضور اتم های آرگون (خلاء)، اتم های مس به حدود 2/5 آنگسترم در سیلیکون نفوذ کرده اند. تا پایان شبیه سازی تراکم این اتم ها در این عمق نفوذ در حال افزایش است.